Harris Corporation DB1F
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DB1F
1050-DB1F
二极管 - 桥式整流器
4-Square, BR
大陆
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BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1A, 50V
1最小包装量--
DB1F详情
Harris Corporation DB1F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
包装/外壳
4-Square, BR
表面安装
NO
供应商器件包装
BR
二极管元件材料
SILICON
终端数量
4
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
R-PDIP-T4
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DB1F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.69
系列
DB1
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T4
资历状况
COMMERCIAL
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10 μA @ 50 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 1 A
输出电流-最大值
1 A
平均整流电流(Io)
1 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
50 V
最大非代表Pk前进电流
50 A
电压 - 峰值反向(最大值)
50 V
DB1F拓展信息
Harris Semiconductor
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Harris Corporation
Harris Semiconductor
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