Harris Corporation GES5815

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92

厂商

Harris Corporation

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

750 mA

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

125 MHz

Manufacturer Part Number

GES5815

Manufacturer

Intersil Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.64

系列

-

操作温度

-65°C ~ 135°C (TJ)

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

Reach合规守则

unknown

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

100MHz

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

0.75 A

最小直流增益（hFE）

60