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'hm465162b883'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

厂商

操作温度

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

HTS代码

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

功能数量

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

电源电压-最大值(Vsup)

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

内存大小

操作模式

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

记忆密度

并行/串行

内存IC类型

组织的记忆

HM4-65162B/883

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32-CLCC

32-CLCC (13.97x11.43)

Harris Corporation

活跃

Volatile

Bulk

HM4-65162

-55°C ~ 125°C (TA)

-

SRAM - Asynchronous

4.5V ~ 5.5V

16Kbit

70 ns

SRAM

Parallel

70ns

2K x 8

HM4-65162B/883

Intersil (Renesas Electronics America)

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

无

接触制造商

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

,

5.28

70 ns

2048 words

2000

125 °C

-55 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

RECTANGULAR

CHIP CARRIER

5 V

未说明

HM4-65162B/883

e0

无

3A001.A.2.C

锡铅

ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS

8542.32.00.41

QUAD

无铅

未说明

1

unknown

R-CQCC-N32

不合格

5.5 V

MILITARY

4.5 V

ASYNCHRONOUS

2KX8

8

16384 bit

PARALLEL

标准SRAM