HARRIS SEMICONDUCTOR CD4011BDMSR

表面安装

NO

终端数量

14

Operating Temperature (Max.)

125°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

辐射硬化

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

4

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-GDIP-T14

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

18V

电源

5/15V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

3V

负载电容

50pF

家人

4000/14000/40000

输入数量

2

逻辑IC类型

NAND GATE

最大 I(ol)

0.00036 A

Prop. Delay@Nom-Sup

338 ns

筛选水平

38535V;38534K;883S

传播延迟(tpd)

338 ns

施密特触发器

NO

总剂量

100k Rad(Si) V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant