HARRIS SEMICONDUCTOR CD4013BDMSR
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CD4013BDMSR
1050-CD4013BDMSR
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CD4013BDMSR详情
HARRIS SEMICONDUCTOR CD4013BDMSR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
14
Operating Temperature (Max.)
125°C
Operating Temperature (Min.)
-55°C
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RADIATION HARDENED; INPUT AC PARAMETRIC VALUES NOT FROM POST RADIATION MEASUREMENT
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
2
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
JESD-30代码
R-CDIP-T14
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
18V
电源
5/15V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
3V
负载电容
50pF
比特数
1
家人
4000/14000/40000
输出极性
COMPLEMENTARY
逻辑IC类型
D FLIP-FLOP
最大 I(ol)
0.00036 A
Prop. Delay@Nom-Sup
405 ns
筛选水平
38535V;38534K;883S
触发器类型
积极优势
传播延迟(tpd)
405 ns
fmax-Min
2.59 MHz
最大频率@Nom-Sup
3500000Hz
总剂量
100k Rad(Si) V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
CD4013BDMSR拓展信息







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