HARRIS SEMICONDUCTOR HA2-5033-5

表面安装

NO

终端数量

12

Operating Temperature (Max.)

75°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.33.00.01

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

功能数量

1

电源电压

12V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

O-MBCY-W12

资历状况

不合格

电源

+-12V

温度等级

商业扩展

电源电流-最大值

30mA

压摆率

1100 V/us

放大器类型

BUFFER

负电源电压(Vsup)

-12V

平均偏置电流-最大值 (IIB)

50μA

电源电压限制-最大值

20V

-3db 带宽

250MHz

最大偏置电流 (IIB) @25C

35μA

最大负电源电压(Vsup)

-20V

输入失调电压-最大值

25000μV

压摆率-Min

1000 V/us

输出电流-最小值

0.08A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant