HARRIS SEMICONDUCTOR HA7-5002-2

表面安装

NO

终端数量

8

Operating Temperature (Max.)

125°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.33.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-GDIP-T8

资历状况

不合格

电源

+-12/+-15V

温度等级

MILITARY

电源电流-最大值

10mA

压摆率

1300 V/us

放大器类型

BUFFER

平均偏置电流-最大值 (IIB)

10μA

电源电压限制-最大值

22V

-3db 带宽

110MHz

最大偏置电流 (IIB) @25C

7μA

最大负电源电压(Vsup)

-22V

输入失调电压-最大值

30000μV

压摆率-Min

1000 V/us

RoHS状态

Non-RoHS Compliant