HARRIS SEMICONDUCTOR HA9P2625-9
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HA9P2625-9
1050-HA9P2625-9
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HA9P2625-9详情
HARRIS SEMICONDUCTOR HA9P2625-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.33.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
1.27mm
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源
+-15V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
4mA
压摆率
35 V/us
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
共模拒绝率
100 dB
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
100000 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.04μA
低偏移
NO
频率补偿
YES AVCL>=5
电源电压限制-最大值
22.5V
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.025μA
最大负电源电压(Vsup)
-22.5V
输入失调电压-最大值
7000μV
宽频
YES
电压增益 - 最小值
80000
共模拒绝率-最小值
74 dB
压摆率-Min
20 V/us
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HA9P2625-9拓展信息







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