HARRIS SEMICONDUCTOR HCS273DMSR

表面安装

NO

终端数量

20

Operating Temperature (Max.)

125°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-CDIP-T20

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

负载电容

50pF

比特数

8

家人

HC/UH

输出极性

TRUE

逻辑IC类型

D FLIP-FLOP

最大 I(ol)

0.006 A

筛选水平

38535V;38534K;883S

触发器类型

积极优势

传播延迟(tpd)

27 ns

总剂量

200k Rad(Si) V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant