HARRIS SEMICONDUCTOR HGT1S12N60B3S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

104W

接通时间

22 ns

集电极电流-最大值(IC)

27A

关断时间-标准值（toff)

280 ns

集电极-发射器电压-最大值

600V

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

175ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant