HARRIS SEMICONDUCTOR HI5702KCB
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HI5702KCB
1050-HI5702KCB
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HI5702KCB详情
HARRIS SEMICONDUCTOR HI5702KCB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Operating Temperature (Max.)
70°C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源
5V
温度等级
COMMERCIAL
比特数
10
电源电流-最大值
130mA
转换器类型
ADC, FLASH METHOD
采样率
40 MHz
模拟输入通道数
1
输出位代码
OFFSET BINARY, 2'S COMPLEMENT BINARY
线性度误差-最大值 (EL)
0.1953%
采样和保持/跟踪和保持
SAMPLE
模拟输入电压-最大值
4.375V
输出格式
PARALLEL, WORD
模拟输入电压-最小值
0.625V
转换时间-最大值
2μs
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HI5702KCB拓展信息







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