HARRIS SEMICONDUCTOR HM1-6508-9
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HM1-6508-9
1050-HM1-6508-9
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HM1-6508-9详情
HARRIS SEMICONDUCTOR HM1-6508-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-GDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
5V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.0068mA
组织结构
1KX1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
1024 bit
访问时间(最大)
250 ns
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2V
输出启用
NO
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HM1-6508-9拓展信息







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