HARRIS SEMICONDUCTOR HM1-65162C5

表面安装

NO

终端数量

24

Operating Temperature (Max.)

70°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-XDIP-T24

资历状况

不合格

电源

5V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0004A

记忆密度

16384 bit

访问时间（最大）

90 ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant