HARRIS SEMICONDUCTOR HM3-6561-5

表面安装

NO

终端数量

18

Operating Temperature (Max.)

70°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

TTL COMPATIBLE INPUT/OUTPUT; ON CHIP ADDRESS REGISTER; LOW POWER STANDBY

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-PDIP-T18

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.0055mA

组织结构

256X4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.0001A

记忆密度

1024 bit

访问时间（最大）

360 ns

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant