我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
HARRIS SEMICONDUCTOR HUF76113SK8T
- 收藏
- 对比
HUF76113SK8T
1050-HUF76113SK8T
无类别的
--
大陆
立即发货
HUF76113SK8T datasheet pdf and Unclassified product details from HARRIS SEMICONDUCTOR stock available at utmel
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
HUF76113SK8T详情
HARRIS SEMICONDUCTOR HUF76113SK8T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.041Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
HUF76113SK8T拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。