我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
HARRIS SEMICONDUCTOR JANS2N6849
- 收藏
- 对比
JANS2N6849
1050-JANS2N6849
无类别的
--
大陆
立即发货
JANS2N6849 datasheet pdf and Unclassified product details from HARRIS SEMICONDUCTOR stock available at utmel
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
JANS2N6849详情
HARRIS SEMICONDUCTOR JANS2N6849重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/564F
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.5A
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANS2N6849拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。