Harris Semiconductor MWS5101EL3
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MWS5101EL3
1050-MWS5101EL3
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Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,
1最小包装量--
MWS5101EL3详情
Harris Semiconductor MWS5101EL3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
质量
0.4 kg
终端数量
22
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KGM
Gross weight
415.00
Transport packaging size/quantity
29*25*40/30
Analog
POS40
Execution
wire
Melting temperature
183...240 °C
Soldering temperature
285...330 °C
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
DIP-22
Access Time-Max
350 ns
Number of Words
256 words
Number of Words Code
256
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP22,.4
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Operating temperature
-55...125°C
包装
coil
容差
±10%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft lead-tin solder Sn/Pb
端子表面处理
锡铅
组成
lead - 40%; tin - 60%
HTS代码
8542.32.00.41
电容量
68pF
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T22
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
电源电压-最大值(Vsup)
6.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.008 mA
组织结构
256X4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1024 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
Operating voltage
2kV
直径
1.2 mm
MWS5101EL3拓展信息
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation
Harris Corporation







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