MWS5101EL3
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Harris Semiconductor MWS5101EL3

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型号

MWS5101EL3

utmel 编号

1050-MWS5101EL3

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,

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MWS5101EL3
MWS5101EL3 Harris Semiconductor Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,

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MWS5101EL3详情

Harris Semiconductor MWS5101EL3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 质量

    0.4 kg

  • 终端数量

    22

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1206

  • Case - mm

    3216

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    415.00

  • Transport packaging size/quantity

    29*25*40/30

  • Analog

    POS40

  • Execution

    wire

  • Melting temperature

    183...240 °C

  • Soldering temperature

    285...330 °C

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    HARRIS SEMICONDUCTOR

  • Package Description

    DIP-22

  • Access Time-Max

    350 ns

  • Number of Words

    256 words

  • Number of Words Code

    256

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP22,.4

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 包装

    coil

  • 容差

    ±10%

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Soft lead-tin solder Sn/Pb

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 组成

    lead - 40%; tin - 60%

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 电容量

    68pF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T22

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    6.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.008 mA

  • 组织结构

    256X4

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    4

  • 待机电流-最大值

    0.00005 A

  • 记忆密度

    1024 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    2 V

  • 输出启用

    YES

  • Operating voltage

    2kV

  • 直径

    1.2 mm

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技术文档: Harris Semiconductor MWS5101EL3.

MWS5101EL3拓展信息

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