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HARRIS SEMICONDUCTOR RF1S22N10SM9A
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RF1S22N10SM9A
1050-RF1S22N10SM9A
无类别的
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大陆
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RF1S22N10SM9A详情
HARRIS SEMICONDUCTOR RF1S22N10SM9A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
22A
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RF1S22N10SM9A拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。