HARRIS SEMICONDUCTOR RF1S640

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.18Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

580 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant