BM22-4S-V详情
Hirose BM22-4S-V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
安装类型
底座安装
供应商器件包装
SOT-227
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
242W (Tc)
厂商
SemiQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
57A (Tc)
Base Product Number
GCMX040
Package
Tube
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
52mOhm @ 40A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3185 pF @ 1000 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
121 nC @ 20 V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
场效应管特性
-
BM22-4S-V拓展信息








哦! 它是空的。