Hirose DF13-20DP-1.25V(26)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

供应商器件包装

SOT-883VL

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

100mW (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9 pF @ 3 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.566 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

10V

场效应管特性

-