2SB858详情
HITACHI 2SB858重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Maximum Clock Rate
400 MHz
Supplier Package
FBGA
Number of I/O Lines
8 Bit
Mounting
表面贴装
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
15 MHz
Manufacturer Part Number
2SB858
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Inchange Semiconductor Company Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.7
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 95 °C
类型
DDR2 SDRAM
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PSFM-T3
工作电源电压
5 V
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
数据总线宽度
8 Bit
晶体管应用
AMPLIFIER
组织结构
64M x 8
极性/通道类型
PNP
地址总线宽度
14 Bit
密度
512 MB
JEDEC-95代码
TO-220AB
筛选水平
Industrial
最大耗散功率(Abs)
40 W
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
1 V
库存数量
4
2SB858拓展信息








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