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HITACHI 2SB858

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型号

2SB858

品牌

HITACHI

utmel 编号

1094-2SB858

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2SB858 datasheet pdf and Unclassified product details from HITACHI stock available at utmel

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2SB858 HITACHI

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2SB858详情

HITACHI 2SB858重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Maximum Clock Rate

    400 MHz

  • Supplier Package

    FBGA

  • Number of I/O Lines

    8 Bit

  • Mounting

    表面贴装

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    15 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2SB858

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Inchange Semiconductor Company Ltd

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD

  • Risk Rank

    5.7

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -40 to 95 °C

  • 类型

    DDR2 SDRAM

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 工作电源电压

    5 V

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 数据总线宽度

    8 Bit

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 组织结构

    64M x 8

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 地址总线宽度

    14 Bit

  • 密度

    512 MB

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 筛选水平

    Industrial

  • 最大耗散功率(Abs)

    40 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    4 A

  • 最小直流增益(hFE)

    60

  • 集电极-发射器电压-最大值

    60 V

  • VCEsat-最大值

    1 V

  • 库存数量

    4

0个相似型号

2SB858拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS