2SD1306E详情
HITACHI 2SD1306E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
2SD1306E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.44
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
定位的数量
37
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.7 A
最小直流增益(hFE)
400
集电极-发射器电压-最大值
15 V
2SD1306E拓展信息








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