2SJ181S-TR-E
2SJ181S-TR-E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

HITACHI 2SJ181S-TR-E

  • 收藏
  • 对比

型号

2SJ181S-TR-E

品牌

HITACHI

utmel 编号

1094-2SJ181S-TR-E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

0.5 A 600 V 25 Ohm P-channel Si Power Mosfet

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
2SJ181S-TR-E
2SJ181S-TR-E HITACHI 0.5 A 600 V 25 Ohm P-channel Si Power Mosfet

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SJ181S-TR-E详情

HITACHI 2SJ181S-TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Manufacturer Part Number

    WCY83

  • Manufacturer

    Burndy

  • Turn Off Delay Time

    35 ns

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 接通延迟时间

    7 ns

  • 上升时间

    20 ns

  • 连续放电电流(ID)

    500 mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

2SJ181S-TR-E拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS