2SJ361RYTR详情
HITACHI 2SJ361RYTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SJ361RYTR
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.13
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2SJ361RYTR拓展信息
HITACHI
HITACHI
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