2SK55-E详情
HITACHI 2SK55-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SK55-E
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Risk Rank
5.24
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.6 pF
最高频段
甚高频段
2SK55-E拓展信息
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
HITACHI
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