3SK229XS-TL详情
HITACHI 3SK229XS-TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
3SK229XS-TL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Risk Rank
5.3
Drain Current-Max (ID)
0.08 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
3SK229XS-TL拓展信息








哦! 它是空的。