BRA123ECMTL详情
HITACHI BRA123ECMTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AA, DO-7, Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-7
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
1N5295
Voltage - Limiting (Max)
1.25V
厂商
微芯片技术
Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max)
100V
Product Status
活跃
Regulator Current (Max)
902µA
Manufacturer Part Number
BRA123ECMTL
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.84
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
应用
-
子类别
BIP 通用小信号
Reach合规守则
compliant
功率 - 最大
500mW
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
20
BRA123ECMTL拓展信息








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