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Hitachi HAT1023R

Name: HAT1023R
Brand: Hitachi
SKU: 1094-HAT1023R
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HAT1023R

品牌

Hitachi

utmel 编号

1094-HAT1023R

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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HAT1023R Hitachi Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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HAT1023R详情

技术参数

Hitachi HAT1023R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

HAT1023R
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Renesas Electronics Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

不推荐
Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank

5.33
Part Package Code

SOIC
Drain Current-Max (ID)

7 A
ECCN 代码

EAR99
子类别

其他晶体管
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
JEDEC-95代码

MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)

7 A
漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2.5 W

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HAT1023R拓展信息

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