Hitachi HAT1025R

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

HAT1025R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Hitachi Ltd

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HITACHI LTD

Risk Rank

5.35

Part Package Code

SOIC

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3 W