HM5112805TD-5详情
HITACHI HM5112805TD-5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
MSL
n/a
Dimensions
1,0x0,5mm
Insulation Voltage
100 V
RoHS
有
Package Description
TSOP2, TSOP32,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP32,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
50 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HM5112805TD-5
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Hitachi Ltd
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Risk Rank
5.82
Part Package Code
TSOP2
系列
n/a
容差
±1 %
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
电阻
30.0 kOhm
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
组成
厚膜
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
注意
n/a
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.22 mA
组织结构
16MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
大小
0402
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
8192
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
额定功率
0,063 W
高度
0,32 mm
宽度
10.16 mm
长度
20.95 mm
达到SVHC
unknown
HM5112805TD-5拓展信息








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