HZU8.2B1TRF详情
HITACHI HZU8.2B1TRF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Non-Compliant
Package Description
R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reference Voltage-Nom
7.93 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Peak Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HZU8.2B1TRF
Power Dissipation (Max)
0.2 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Risk Rank
5.47
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
最大电压允差
2.14%
工作测试电流
5 mA
HZU8.2B1TRF拓展信息








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