MBM100GR12
MBM100GR12

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

HITACHI MBM100GR12

  • 收藏
  • 对比

型号

MBM100GR12

品牌

HITACHI

utmel 编号

1094-MBM100GR12

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HITACHI Power Transistor Module

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
MBM100GR12
MBM100GR12 HITACHI HITACHI Power Transistor Module

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MBM100GR12详情

HITACHI MBM100GR12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Manufacturer Part Number

    MBM100GR12

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Risk Rank

    5.24

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 最大耗散功率(Abs)

    590 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    100 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.8 V

0个相似型号

MBM100GR12拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS