MBM150GR6
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HITACHI MBM150GR6

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型号

MBM150GR6

品牌

HITACHI

utmel 编号

1094-MBM150GR6

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HITACHI Power Transistor Module

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MBM150GR6
MBM150GR6 HITACHI HITACHI Power Transistor Module

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MBM150GR6详情

HITACHI MBM150GR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    KYOCERA AVX

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    300 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    550 ns

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    MBM150GR6

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.29

  • 系列

    *

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    520 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    150 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.6 V

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MBM150GR6拓展信息

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ISO13485
AS
SMTA
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