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Hitachi Ltd MBN1200H33D
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MBN1200H33D
1094-MBN1200H33D
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 3300V V(BR)CES
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MBN1200H33D详情
Hitachi Ltd MBN1200H33D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Package Description
,
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
unknown
集电极电流-最大值(IC)
1200 A
集电极-发射器电压-最大值
3300 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
MBN1200H33D拓展信息
哦! 它是空的。