Hittite 114399-HMC542LP4

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Power Dissipation (Max)

463W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Z-FET™

包装

Tube

零件状态

活跃

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

34 mOhm @ 50A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2788pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

161nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

+25V, -10V

场效应管特性

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