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HY3810B6

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HUAYI HY3810B6

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对比

型号

HY3810B6

品牌

utmel 编号

2924-HY3810B6

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100V 218A 375W 3.7mΩ@10V,90A 3V@250uA 1 N-Channel TO-263-6 MOSFETs ROHS

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HY3810B6 HUAYI 100V 218A 375W 3.7mΩ@10V,90A 3V@250uA 1 N-Channel TO-263-6 MOSFETs ROHS

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HY3810B6详情

技术参数

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HUAYI HY3810B6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

100V
Power Dissipation (Pd)

375W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

3.7mΩ@10V,90A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

630pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

7.874nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

208nC@10V
Package

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55℃~+175℃@(Tj)
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

218A

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