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HUAYI HYG017N04LS1C2
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HYG017N04LS1C2
2924-HYG017N04LS1C2
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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40V 135A 1.7mΩ@10V,20A 75W 1.8V@250uA 1 N-Channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS
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HYG017N04LS1C2详情
HUAYI HYG017N04LS1C2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
40V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
1.7mΩ@10V,20A
Power Dissipation (Pd)
75W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
1.8V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
50pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
4.332nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
135A
HYG017N04LS1C2拓展信息
HUAYI
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