Hynix H5DU5182ETR-E3C

表面安装

YES

终端数量

60

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.64

Ihs Manufacturer

SK HYNIX INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

SK Hynix Inc

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

VBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Number of Words

67108864 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Manufacturer Part Number

H5DU5182ETR-E3C

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.7 ns

Reflow Temperature-Max (s)

20

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

64000000

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE

Package Description

VBGA, TSSOP66,.46

JESD-609代码

e6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn98Bi2)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

引脚数量

60

JESD-30代码

R-PBGA-B60

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.26 mA

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

长度

12 mm

宽度

8 mm

达到SVHC

unknown