HY27UF082G2A-TPCB详情
Hynix HY27UF082G2A-TPCB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
48
终端数量
48
RoHS
Compliant
Memory Types
NAND
Package Description
TSSOP, TSSOP48,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
30 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HY27UF082G2A-TPCB
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.79
Part Package Code
TSOP1
JESD-609代码
e6
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
界面
Serial
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
内存大小
256 MB
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
访问时间
25 µs
组织结构
256MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3.3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
宽度
12.12 mm
高度
1.03 mm
长度
18.5 mm
HY27UF082G2A-TPCB拓展信息








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