HY62V8100BLLG-70详情
Hynix HY62V8100BLLG-70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
0.525 INCH, SOP-32
Package Style
小概要
Part Package Code
SOIC
Risk Rank
5.87
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
SK Hynix Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
HY62V8100BLLG-70
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
70 ns
Package Equivalence Code
SOP32,.56
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.048 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
11.2015 mm
长度
20.498 mm
HY62V8100BLLG-70拓展信息








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