HYC0UEE0CF1P-6SH0E
HYC0UEE0CF1P-6SH0E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Hynix HYC0UEE0CF1P-6SH0E

  • 收藏
  • 对比

型号

HYC0UEE0CF1P-6SH0E

品牌

Hynix

utmel 编号

2287-HYC0UEE0CF1P-6SH0E

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HYC0UEE0CF1P-6SH0E datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Hynix stock available at utmel

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
HYC0UEE0CF1P-6SH0E
HYC0UEE0CF1P-6SH0E Hynix

请发送询价,我们将立即回复。

库存:1925

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

HYC0UEE0CF1P-6SH0E详情

Hynix HYC0UEE0CF1P-6SH0E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    149

  • Manufacturer Part Number

    HYC0UEE0CF1P-6SH0E

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SK HYNIX INC

  • Package Description

    FBGA-149

  • Risk Rank

    5.66

  • Number of Words

    16777216 words

  • Number of Words Code

    16000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -25 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    LFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • 附加功能

    ITS ALSO CONTAINS 512M (64MX8BIT) NAND FLASH MEMORY

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B149

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    16MX16

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 内存IC类型

    存储器电路

  • 长度

    14 mm

  • 宽度

    10 mm

0个相似型号

HYC0UEE0CF1P-6SH0E拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z