HYI0UGG0MF1P-6SS0E详情
Hynix HYI0UGG0MF1P-6SS0E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
149
Package Description
LFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-30 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
HYI0UGG0MF1P-6SS0E
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.66
附加功能
NAND FLASH IS ORGANISED AS 128M X 8
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B149
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
存储器电路
宽度
10 mm
长度
14 mm
达到SVHC
compliant
HYI0UGG0MF1P-6SS0E拓展信息








哦! 它是空的。