ASNYC302详情
IDEC ASNYC302重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件包装
1206-8 ChipFET™
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SI5402
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
TrenchFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA (Min)
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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ASNYC302拓展信息








哦! 它是空的。