UP9971G-S08-R详情
IDEC UP9971G-S08-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Nonstandard
表面安装
YES
供应商器件包装
1005
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
M55342
厂商
Vishay Dale 薄膜
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UP9971G-S08-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.67
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
5 A
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
Military, MIL-PRF-55342, RM1005
尺寸/尺寸
0.105 L x 0.050 W (2.67mm x 1.27mm)
容差
±0.1%
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±100ppm/°C
电阻
517 Ohms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.2W, 1/5W
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
失败率
R (0.01%)
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Military, Non-Inductive
座位高度(最大)
0.033 (0.84mm)
UP9971G-S08-R拓展信息








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