70P245L90BYGI详情
IDT 70P245L90BYGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-TFBGA
供应商器件包装
100-CABGA (6x6)
材料
Anodized
RoHS
Compliant
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
--
包装
Tray
零件状态
Obsolete
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous
电压 - 供电
1.7 V ~ 1.9 V
内存大小
64Kb (4K x 16)
访问时间
90ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
90ns
自然的热阻
1.03 °C/W
无铅
无铅
70P245L90BYGI拓展信息
IDT
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