70P257L55BYI详情
IDT 70P257L55BYI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
100
Package Description
BGA, BGA100,10X10,20
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA100,10X10,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
70P257L55BYI
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
BGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.42
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
100
JESD-30代码
S-PBGA-B100
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000008 A
记忆密度
131072 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
70P257L55BYI拓展信息








哦! 它是空的。