IDT 71V321L55TFI8

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

64-LQFP

引脚数

5

供应商器件包装

64-TQFP (10x10)

RoHS

Compliant

Manufacturer Lifecycle Status

PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

571 mW

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

通道数量

1

电路数量

1

内存大小

16Kb (2K x 8)

准确性

0.5 %

访问时间

55ns

压摆率

10 V/µs

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

共模拒绝率

90 dB

每个通道的输出电流

1 mA

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

电源抑制比

90 dB

输入偏置电流

120 µA

电压 - 供电 （最大值）

28 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V