IDT 71V3579S75BQ

表面安装

YES

终端数量

165

RoHS

Compliant

Package Description

FPBGA-165

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

71V3579S75BQ

Clock Frequency-Max (fCLK)

117 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.82

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.255 mA

组织结构

256KX18

输出特性

3-STATE

内存宽度

18

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3.14 V