IDT 7M856S100CB

表面安装

NO

终端数量

28

Package Description

DIP, DIP28,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

100 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

7M856S100CB

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.92

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-CDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.38 mA

组织结构

32KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.08 A

记忆密度

262144 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

SRAM MODULE

待机电压-最小值

4.5 V